SK海力士豪赌AI内存，拟将DRAM产能扩增八倍
面对全球AI推理需求的爆发式增长，存储巨头SK海力士正以激进的产能扩张计划迎接这场内存革命。
2025年11月22日，据科技资讯显示，SK海力士为应对云计算服务商及芯片制造商的迫切需求，正制定一项大规模扩产计划。
预计到2026年将其动态随机存取存储器（DRAM）的生产能力提升超过八倍。
这一决策源于AI产业从训练向推理的转型，催生了对尖端通用DRAM的爆炸性需求。
01 产能扩张：瞄准AI推理市场
根据韩国媒体报道，SK海力士计划在2026年将其第六代10纳米DRAM月产能从目前的2万片提升至16-19万片。
这一增幅达8-9倍的扩张计划，将使1c DRAM占其DRAM总产能的三分之一以上。
产能扩张的核心位于韩国利川的生产基地。
该厂区将显著提升1c制程DRAM晶圆的月产量，由目前的每月2万片增至14万片。
除利川外，公司还计划对其他制造基地进行扩展，以支持整体产能的跨越式增长。
02 战略布局：为何全力押注通用DRAM
SK海力士此次扩产并非针对HBM（高带宽内存），而是专注于尖端的通用DRAM产品。
这些产品包括DDR5、LPDDR和GDDR7等。
AI推理主要依赖于先进的通用DRAM，因其能效更高、成本更低。
随着AI应用从训练转向推理，比HBM更具成本效益的尖端通用DRAM的需求水涨船高。
业内分析认为，本轮扩产几乎完全聚焦于满足AI产业的需求，属于定向供给调整。
由于AI推理任务对内存资源消耗巨大，新增产能预计将迅速被数据中心和云计算平台吸收。
03 产品方向：GDDR7与SOCAMM2成焦点
新增产能将主要集中于面向人工智能服务器和高性能计算应用的先进内存产品。
特别是GDDR7图形内存模组以及低功耗SOCAMM2内存解决方案。
这两类技术凭借其高带宽与高效能表现，已在近期广泛应用于各类AI基础设施中，成为支撑大规模模型运算的关键组件。
扩产后的1c DRAM将主要用于生产GDDR7和SOCAMM2等产品，以满足英伟达等大型科技公司的订单需求。
新的AI加速器，如Rubin CPX，已经使用GDDR内存代替HBM。
04 市场背景：内存墙与AI推理革命
在11月3日举行的SK AI Summit 2025峰会上，SK海力士公布了“全线AI存储创造者”（Full Stack AI Memory Creator）新愿景。
该公司CEO Kwak Noh-Jung指出：“随着AI扩张推动更大的数据移动，通过增强硬件性能来应对变得至关重要”。
“内存墙已成为技术进步的主要障碍，因为内存速度未能跟上处理器的进步步伐”。
SK海力士正推出三大核心产品矩阵：定制化HBM、AI DRAM（AI-D）和AI NAND（AI-N）。
其中AI DRAM又细分为三个方向：优化类（AI-D O）、突破类（AI-D B）和扩展类（AI-D E）。
05 行业影响：消费电子内存短缺或持续
尽管包括SK海力士、三星与美光在内的主要存储制造商均已加快生产布局。
但市场供需紧张的局面仍未缓解。
在此背景下，消费类电子产品所依赖的内存供应短期内难以获得实质改善。
市场短缺状况预计将在未来一段时期内持续存在。
业内估计，仅OpenAI的Stargate项目每月就需要消耗90万片DRAM晶圆。
这相当于当前全球总供应量的至少40%。
即使供应商急于扩大产能，仍然难以满足由HBM4/HBM4E等产品驱动的预期需求。
06 投资规模：彰显对“AI内存超级周期”信心
鉴于SK海力士在DRAM领域的积极投资步伐，业内人士预测，该公司明年的设施投资额将轻松超过30万亿韩元。
这一巨额投资显示其对“AI内存超级周期”的强劲信心。
与此同时，三星电子也不甘示弱。
为重夺DRAM市场领导地位，三星计划到2026年底将其10纳米第六代DRAM（1c DRAM）的月产能扩大到20万片晶圆。
存储巨头之间的产能竞赛已悄然打响。
市场分析认为，即使SK海力士完成这一激进扩产计划，仍难以满足全球数据中心对DRAM的饥渴需求。
行业数据显示，仅OpenAI的“Stargate”项目每月就需要消耗90万片DRAM晶圆，这相当于当前全球总供应量的至少40%。
未来几年，AI内存的“超级周期”仍将持续，存储市场格局正在重塑。
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